Anorgaaniline Keemia/Halogeniidid ja pseudohalogeniidid

Allikas: testwiki
Mine navigeerimisribale Mine otsikasti

Halogeniidid ja pseudohalogeniidid:struktuur ja omadused

Halogeniidid on binaarsed ühendid, mis sisaldavad halogeeni (F, Cl, Br, I, At) ja sellest elektropositiivsemat elementi või radikaali. Halogeeni oksüdatsiooniaste on tavaliselt −I.

Struktuur

Halogeniide saab struktuuri alusel jagada ioonilisteks, molekulaarseteks ja polümeerseteks. Ioonilised jagunevad monoaatomiliste ioonidega ühenditeks (NaCl) ja molekulaarsete ioonidega ühenditeks (PClA4PClA6). Molekulaarsed on kas monomeersetest molekulidest (TiClA4, CClA4, PFA3 ,HgClA2), oligomeeridest (E–X–E sidemega: IA2ClA6) või klastritest (E–E sidmega: HgA2ClA2, PdA6ClA12). Polümeersed on näiteks BeClA2 ja BiFA5.

TiCl4 molekul
TiClA4 molekul
Vismut pentafluoriidi ahel
(BiFA5)n ahel
Berülliumdikloriidi ahel
(BeClA2)n ahel

See, kas halogeniid on polümeerse, ioonilise või molekulaarse struktuuriga, oleneb vastava molekulaarse osakese happelisusest. Tänu elektronpaaride olemasolule saab halogeeniaatom käituda elektrontiheduse doonorina juhul, kui teise elemendi aatom on piisavalt happeline ning intermolekulaarne interaktsioon pole nt steeriliselt takistatud. Happelisus on tingitud sobiva sümmeetriaga tühja LUMO orbitaali olemasolust. Vaba ruum happelise aatomi ümber määrab maksimaalse doonor-aktseptor st koordinatiivsete sidemete arvu, ehk koordinatsioonilise küllastatuse. Koordinatiivselt küllastamata molekulide vahele tekivad koordinatiivsed sidemed halogeeni vabast elektronpaarist ja tsentraalaatomi vabast orbitaalist (tekivad M–X–M sillad). Ühe või kahe koordinatiivse sideme korral on ühend polümeer või oligomeer. Kui iga halogeen moodustab sideme, tekib lõputu polümeerne struktuur [1]. Molekulaarse halogeniidi koordinatiivne küllastamatus suureneb rühmas alla liikudes aatomiraadiuse kasvamise tõttu, ehk aatomi ümber on rohkem vaba ruumi. CFA4, SIFA4 ja GeFA4 on molekulaarsed (monomeerid), aga SnFA4 ja PbFA4 on oktaeedriliste tsentritega polümeerid. Perioodis vasakule liikudes kasvab koordinatiivne küllastamatus. Vabade orbitaalide arv ja vaba ruum tsentraalaatomi ümber suurenevad, mis on olulisemad kui tsentraalaatomi oksüdatsiooniastme vähenemise mõju (mis on trendile vastupidise suunaga). PFA5 ja SiFA4 on molekulaarsed, aga AlFA3 on 3D polümeerse struktuuriga, kus Al koordinatsiooniarv on 6 [1].

alumiiniumtrifluoriidi 3D struktuur
AlFA3 3D struktuur
NaCl võre
NaA6ClA6 võre
CrCl_3 võre
CrA6ClA3A2 2D kihiline struktuur

Metallide oksüdatsiooniastme suurenemine põhjustab metall–halogeen sideme muutumise ioonilisest kovalentsemaks. Struktuur muutub o.a suurenedes 3D ioonilisest kristallist kihiliseks (nn 2D struktuur) või polümeerseks (1D struktuur), seejärel molekulidest koosnevaks tahkiseks (0D struktuur) [2], kuna o.a suurenemisel loomulikult väheneb halogeeni koordinatsiooniarv, mis vähendab struktuuri dimensioooni. Tabelis tähistavad ülaindeksid elemendi koordinatsiooniarvu. Näiteks EA4XA41, millele vastab TiFA4, on molekulaarne ja F koordinatsiooniarv on 1.

E o.a +1, ainult 3D struktuurid võimalikud E o.a +2, põhiliselt 2D ja 3D struktuurid E o.a +4 alates molekulaarsed võimalikud.
3D vaid kõrge E koordinatsiooni korral.
EA4XA4 EA6XA6 EA8XA8 EA4A224XA2A2 EA6XA2A3 EA6XA2A4 EA4A224XA4A1 EA6XA4A1,5 EA8XA4A2
0D - - - - - - TiFA4 (SeClA4)An -
1D - - - BeClA2 - - - ZrClA4 ?
2D ? - - AgFA2 CdClA2 * - SnFA4 ThIA4
3D CuF NaCl CsCl BeFA2 MgClA2 CaFA2 - - ZrFA4

Metallide halogeniidid valemiga MX ja MXA2 tavaliselt 3D ioonilise struktuuriga, 1 ja 2 rühma metallidega moodustuvad tuntud NaCl ja TiOA2 tüüpi võred. NaCl asub EA6XA6 tulbas sest E ja X koordinatsiooniarv võres on 6, st NaCl moodustab tahktsentreeritud kuubilise võre. CsCl asub EA8XA8 tulbas, st CsCl moodustab ruumtsentreeritud kuubilise võre, milles ioonide koordinatsiooniarv on 8. Rutiili (TiOA2) võres on katiooni koordinatsiooniarv 6 ja anioonil 3.

Trifluoriidid on tavaliselt 3D võrega (AlFA3), trihalogeniidid Cl, Br või I-ga moodustavad tavaliselt kihilisi struktuure. MXA4 korral on juba võimalikud molekulaarsed struktuurid (TiFA4, SnClA4), võivad moodustada ringe või ahelaid MXM sildadega (ZrClA4), kõrge koordinatsiooniarvu korral on veel võimalik 3D struktuur (ZrFA4).MXA5 on molekulaarsed (SbClA5) või sisaldavad ringe või ahelaid MXM sildadega (SbFA5).Valemiga MXA6 on molekulaarsed oktaeedrilised (UFA6, WClA6).[2]

Trendid d-metallide halogeniidides

EX termodünaamiline tsükkel

d-metallide halogeniidide termodünaamiliste (ja mõnel juhul kineetiliste) andmete põhjal on võimalik iseloomustada mitmeid perioodilisuse tabelis esinevaid trende ja seaduspärasusi ning neid termodünaamilise tsükli abil analüüsida [3]. Halogeniidi tekkimise Gibbsi energia saab jagada mitmeks etapiks. Energiat kulutavad ΔaG ja ΣnIE, kus ΔaG arvestab metalli sublimeerumist ja halogeeniaatomite vahelise sideme lõhkumist ning halogeenimolekuli aurustamist ning ΣnIEn on metalli n ionisatsioonienergia summa. Energia eraldumisega on seotud EA ja ΔvG, EA on halogeeni elektronafiinsus ja ΔvG võre tekkimise energia. Energiat kulutavate ja energiat andvate protsesside vahekord määrab ΔrG väärtuse. Võreentalpiat (joonisel ΔvG osa) kirjeldab Born-Lande' võrrand.
ΔvH=NAMz+ze24πϵ0r0(11n)
Kus n on Borni eksponent, e elementaarlaeng, z+ ja z katiooni ja aniooni laengud, r0=r+r+ on ioonraadiuste summa [1]. Kui võretüüp jääb samaks, siis saab eri halogeniidide võreentalpiaid võrrelda järgmise avaldise abil:
ΔvHz+zr+r+ .

Sama valemi (st MXAn) korral on halogeniidide tekkeentalpia ΔrH negatiivsem kui tekke Gibbsi energia ΔrG. Gibbsi energiat ja entalpiat seob võrrand ΔrG=ΔrHTΔrS. Erinevus esineb, sest halogeniidi tekkeraktsiooni ΔrS ei võrdu nulliga. ClA2 ja FA2 korral on erinevus suurem, sest need on standardtingimustel gaasilised ja gaasi sidumisega kaasneb suur negatiivne entroopiamuut. BrA2 korral on erinevus väiksem ja IA2 korral veel väiksem, sest need on vastavalt vedelik ja tahkis [3].

Halogeniidi MXAn tekkeentalpia muutub vähem negatiivseks kui X muutub reas F, Cl, Br, I. Ühendi tekkimise termodünaamilises tsüklis jäävad halogeeni varieerides metalli puudutavad energiad (sublimatsioonienergia ja ioonisatsioonienergiad (ΣnIE)) samaks ning muutuvad osad võib jagada kaheks etapiks: halogeeniioonide tekkimine ΔfH(X) ja võreentalpia ΔvH. Võreentalpia (ehk võre tekkel vabanev energia) muutub halogeeniaatomite suurenedes (ioonide suurenedes) vähem negatiivseks. Ja ka ΔfH(X) muutub positiivsemaks. Mõlemad toetavad trendi, aga võreentalpia muutub palju rohkem. CaXA2 korral ΔvH(CaF2)=2630kJ/mol , ΔvH(CaCl2)=2258kJ/mol, ΔfH(F(g))=250kJ/mol, ΔfH(Cl(g))=228kJ/mol [3].

Kõrgete o.a-ga halogeniidide tekkeentalpia muutub metalli rühmas alla liikudes negatiivsemaks (st stabiilsemaks) ja madala o.a-ga positiivsemaks (n ja X konstantsed). 3d-metalli järjestikused ionisatsioonienergiad kasvavad kiiremini kui 4d ja 5d elementidel. Samas sublimatsioonientalpia ΔsH(E) kasvab rühmas alla liikudes ning ΔvH on 3d elemendi ühendis negatiivsem kui 4d ja 5d ühendites (kuna 4d ja 5d ioonraadiused on suuremad kui 3d elemendi ioonraadius. ΔsH(E) ja ΔvH soosivad 3d elemendi madalamat tekkeentalpiat. Ionisatsioonienergiate muutumise ja (ΔsH(E) + ΔvH) vastukäiva efekti tõttu tekib muutus madalate ja kõrgete oksüdatsiooniastmetega ühendite tekkeentalpiate muutumise vahel. s-elektronide, ehk tavaliselt esimese ja teise ioonisatsioonienergia väärtused ei erine rühmas alla liikudes oluliselt ja tulemuse määrab ΔsH(E) ja ΔvH koosmõju. Need väärtused on madalama raadiuse tõttu on väiksemad 3d elementide puhul, millede halogeniid on seetõttu negatiivsema tekkeentalpiaga. Edasised ionisatsioonienergiad on 3d metallidel 4d ja 5d metallidest oluliselt suuremad, seepärast on 4d ja 5d metallide kõrge o.a-ga ühendid madalamate tekeentalpiatega. Nendel põhjustel moodustavad 3d-metallid pigem madalama o.a-ga halogeniide ja 4d ning 5d metallid kõrgema o.a-ga halogeniide (vt kahte järgnevat seost) [3].

3d-elemendid ei moodusta nii kõrge o.a-ga halogeniide kui 5d-elemendid. Kõrge o.a-ga 3d elementide halogeniidid on suhteliselt ebastabiilsed, võrreldes vastavate 4d- ja 5d-elementide ühenditega, sest 3d ionisatsioonienergiad kasvavad oluliselt kiiremini ning negatiivsem võreentalpia ja väiksem sublimatsioonienergia ei ole piisavad, et tasakaalustada 3d elemendi ionisatsioonienergiate kasvamist. NbIA4 on stabiilne, aga hüpoteetiline ühend VIA4 ei ole, sest erinevus V ja Nb 4. IE vahel on suur (4507 vs 3695 kJ/mol). Sublimatsioonientalpiad on ΔsH(Nb)=726 ja ΔsH(V)=514kJ/mol. VIA4 oleks stabiine lähteainete suhtes (ΔrH(VI4)<0), aga ei ole stabiilne VIA3 ja ½ IA2 suhtes(vt ülejärgmine trend)[3].

3d-elemendid moodustavad madalama o.a-ga halogeniide kui 5d-elemendid. 4d- ja 5d-elementide suurem sublimatsioonienergia ja väiksem võreentalpia võrreldes 3d-elemendi ühendiga muudavad nende madala o.a-ga halogeniidid võrreldes vastava 3d-elemendi ühendiga ebastabiilsemateks [3].

Halogeniidi (MXAn) tekkeentalpia muutub negatiivsemaks n suurenedes. Seaduspära esineb, kuna vastasel korral oleks halogeniidi lagunemine eksotermiline. Ehk ebastabiilne madalama oksüdatsiooniastmega vormi suhtes. Laguneks madalama o.a-ga halogeniidiks ja halogeeniks [3].

Jood moodustab madalama o.a-ga haliide kui Br ja nii edasi halogeeni rühmas üles liikudes. Seaduspära võib ümber sõnastada küsimuseks, et miks on joodi vastav ühend ebastabiilne. Võrrelda fluoriide jodiididega VFA4, VFA3, VIA4 ja VIA3 näitel. VIA4 on ebastabiilne, kuna laguneb VIA3-ks ja ½ IA2-ks, VFA4 on stabiilne. Üleminekute VFA4VFA3 ja VIA4VIA3 erinevused on joodi ja fluori ühendite võreentalpiates ja halogeniidiooni tekkeentalpiates. Fluoriidiooni tekkimine on eksotermilisem kui jodiidiooni tekkimine ja võreentalpia muutub F korral rohkem (negatiivsemaks) kui I korral. Mõlemad muudavad VFA4 võrreldes VIA4-ga stabiilsemaks [3].

Halogeeni rühmas alla liikudes väheneb metalli oksüdatsiooniaste halogeniidis Trend esineb, kuna F võreentalpia suureneb MXAnMXAn+1 rohkem kui I korral, mis soodustab F korral disproportsioneerumist. TaFA4 on ebastabiilne disproportsioneerumise suhtes, aga TaIA4 ei ole. 5TaFA4=4TaFA5+Ta ΔrH<0. Sama loogika seletab, miks on Os korral vastava halogeeni madalaima o.a-ga halogeniidid OsFA4 ja OsClA3, Nb korral NbFA4 ja NbClA3, Ta korral TaFA5 ja TaClA3 [3].

Pseudohalogeniidid

Pseudohalogeenid (näiteks CNA2) on mitmeaatomilised halogeenide analoogid, käituvad keemiliselt sarnaselt. Pseudohalogeniidioonideks nimetatakse halogeniidioonidega sarnaste omadustega ioone [4]. Mõned tuntumad on CN tsüaniid, NCS tiotsüanaat, NCO tsüanaat, CNO fulminaat, N3 asiid. Tuntud on ka kovalentsete p-elementide halogeniidide pseudohalogeniididest analooge. Sarnasusel on piirid, sest pseudohalogeniidioonid ei ole sfäärilised, mis viib iooniliste ühendite struktuuri erinemiseni [5].

Interhalogeniidid

Interhalogeniidid on halogeenidevahelised ühendid, jagunevad binaarseteks, tertsiaarseteks (XYA2Z ja XYZA2), ioonilisteks (IA2A+, ClFA2A+, ClFA6A) ja polümeerseteks ioonideks (IA3A, IA5A, ClA3A). Binaarseid interhalogeniide on valemitega XY, XYA3, XYA5, XYA7, kus Y on X-st elektronegatiivsem halogeen. Kõrgemad (n = 3, 5 ja 7) on ainult fluoriga võimalikud (erand IA2ClA6). XYA3 ja XYA5 struktuuri saab kirjeldada VSEPR mudeli abil, XYA3 on murtud T kujulised ja XYA5 on kas nelinurkse püramiidi või trigonaalse bipüramiidi kujulised. Ainsa XYA7 ühendi IFA7 kohta pole struktuur eksperimentaalset tõestatud [5]. Kõik binaarsed interhalogeenid on oksüdeerijad. ClFA3 kasutatakse fluoreeriva reagendina kuna reageerib paljude ühenditega FA2-st kiiremini, kuigi on FA2-st TD nõrgem floreerija, sest CFA3 tekkeentalpia on negatiivne. Kasutatakse näiteks niklist FA2 aparatuuri passiveeriva fluoriidikihi loomiseks [5] ja tuumaenergeetikas UFA6 saamiseks [2].

Viited

  1. 1,0 1,1 1,2 Mingos, D.M.P. Essential Trends in Inorganic Chemistry, 1998, Oxford University Press, Oxford
  2. 2,0 2,1 2,2 Housecroft, Sharpe. Inorganic Chemistry, 2nd ed. 2005 Pearson Education Ltd, England
  3. 3,0 3,1 3,2 3,3 3,4 3,5 3,6 3,7 3,8 In Search of a Deep Understanding of the Relative Stabilities of Transition Metal Halides Journal of Chemical Education 2001 78 (12), 1635 DOI: 10.1021/ed078p1635
  4. IUPAC. Compendium of Chemical Terminology, 2nd ed. (the "Gold Book"). Compiled by A. D. McNaught and A. Wilkinson. Blackwell Scientific Publications, Oxford (1997). Online version (2019-) created by S. J. Chalk. ISBN 0-9678550-9-8. https://doi.org/10.1351/goldbook.
  5. 5,0 5,1 5,2 Atkins, P.W.; Overton, T.L.; Rourke, J.P.; Weller, M.T. (2010). Shriver and Atkins' Inorganic Chemistry. New York: Oxford University Press.